Principio di lavoro del substrato di nitruro di silicio

Il principio di lavoro disubstrato di nitruro di siliciosi basa principalmente sulle sue proprietà fisiche e chimiche uniche, che le consentono di svolgere un ruolo chiave in una varietà di campi ad alta tecnologia.

Il nitruro di silicio (SI3N4) è una sostanza inorganica con alta conducibilità termica, alta resistenza meccanica, buona stabilità chimica e resistenza alle shock termiche. Queste caratteristiche rendono i substrati di nitruro di silicio ampiamente utilizzati nei dispositivi elettronici di potenza, parti di ingegneria ad alta temperatura, materiali refrattari avanzati nel settore metallurgico e l'industria chimica.

Nei dispositivi elettronici di potenza, il principio di lavoro dei substrati di nitruro di silicio si riflette principalmente nella sua dissipazione del calore e supporto meccanico. Poiché i dispositivi a semiconduttore generano molto calore durante il funzionamento e i substrati di nitruro di silicio hanno un'eccellente conducibilità termica elevata, possono effettivamente esportare calore dal dispositivo per garantire il normale funzionamento del dispositivo. Allo stesso tempo, l'elevata resistenza meccanica dei substrati di nitruro di silicio gli consente anche di resistere a una grande sollecitazione meccanica e fornire supporto stabile al dispositivo.

Inoltre, i substrati di nitruro di silicio hanno anche una buona stabilità chimica e resistenza agli shock termici e possono mantenere prestazioni stabili in ambienti di lavoro duri. Queste caratteristiche consentono ai substrati di nitruro di silicio di funzionare normalmente in condizioni estreme come alta temperatura, alta pressione e forte corrosione, ampliando ulteriormente le loro aree di applicazione.

In sintesi, il principio di lavoro dei substrati di nitruro di silicio si basa principalmente sulla loro alta conducibilità termica, alta resistenza meccanica, buona stabilità chimica e resistenza agli shock termici, che li rendono svolgere un ruolo insostituibile in una varietà di campi ad alta tecnologia.